miércoles, 23 de mayo de 2012

DDR4, la nueva generación de memorias

Sin un estándar oficial para su fabricación, Samsung, Hynix y Micron lanzan pruebas de sus memorias DDR4, la nueva generación de memorias RAM.

Hay una clara intención de comenzar a producirlas en masa para el 2013, al menos para colocarlas en el mercado de servidores, en tanto haya micros que los acepten.

Para mediados de este año está prevista la publicación de las especificidades de las normativas para este nuevo estándar de memoria, aunque ya se habían hecho avances significativos en esta materia en agosto pasado. Algunas de las principales características citaban un rango de funcionamiento que no supere los 1,2 voltios, un 20% menos que las actuales DD3, y transferencias de hasta 3200 millones de datos por segundo, el doble que las más rápidas DDR3.


Samsung es seguramente una de las firmas más adelantadas en DDR4. En diciembre de 2010 ya comenzaba a distribuir muestras de sus primeros módulos de 2Gb DDR4, mientras que para enero de 2011 ya había completado el desarrollo de sus primeras memorias de 4Gb. Hynix, otro gigante coreano del semiconductor, lanzó sus primeros pasos en el DDR4 al mes siguiente.

¿Cuándo llegarán a nuestros hogares las DDR4?
Y la respuesta depende tanto de los fabricantes de memorias como los fabricantes de los microprocesadores. Intel anunció que hasta el 2014, cuando lancé la serie Xeon Haswell-EX incluirá esta tecnología. Si Intel o ADM tardan un tiempo, Probablemente los usuarios hogareños tengan que esperar todavía un poco más.

Por Lic. Juan Jose Capiello
Fuente: Red Users

http://www.kennedy.edu.ar/Paginas/Institucional/Noticia.aspx?noticiaId=159

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